О модели ТС-элемента солнечной фотосферы, построенной по связи магнитного поля и эквивалентной ширины линий - Баранов, А.В.; Можаровский , С.Г. (Известия Крымской астрофизической обсерватории, 2011)
Модель элемента тонкой структуры факела (ТС-элемента) описывает связь напряженности магнитного поля Н и эквивалентной ширины линий, если предполагать большие температуры и меньшие градиенты температуры по высоте в атмосфере элемента по сравнению с обычными моделями. Для анализа модели магнитного поля ТС-элемента нами использованы решения системы уравнений переноса излучения в спектральных линиях с учетом аномальной дисперсии. Анализировались площади профилей круговой поляризации rv линий К, нормированные на площадь rv-профиля линии Fe1λ 525.35 нм. Рассмотрены параметры связи К: S1 – среднее отношение рассчитанных и наблюдаемых К, S2 – среднеквадратическое отклонение теоретических К от наблюдаемых, S3 – коэффициенты их корреляции. При подборе модели полагалось, что величины S1 и S3 в ней должны быть максимально близки к 1, а S2 минимален. При использовании теории Унно расчет по 28 спектральным линиям дает значения S1 = 0.998 - 1.008, S2 = 0.185, S3 = 0.969 - 0.988, в зависимости от принятых параметров атмосферы. При учете аномальной дисперсии имеем S1 = 0.924, S2 = 0.188, а S3 = 0.968. Есть заметное различие S1 при близких S2 и S3. Это является следствием инверсий rv-профиля у центров магнитоактивных линий, которые в разной степени (в зависимости от расщепления линии) уменьшают их площадь.